ماژول SiC دارای قابلیت اطمینان مناسب بوده و تا حد زیادی به کوچک بودن اندازه سیستم های سوئیچینگ برق مانند مبدل های صنعتی و منابع تغذیه کمک می کند.
SiC به دلیل خواص فوق العاده مواد تشکیل دهنده اش بسیار امیدوار کننده بوده و انتظار می رود مصرف برق سیستم های مختلف سوئیچینگ را کاهش دهد.
دستگاه های سوئیچینگ توان بالا نیاز به پکیجی موسوم به ماژول برق که در آن چندین ترانزیستور به صورت مجتمع در کنار هم هستند، دارد.
ماژول SiC بر مبنای فناوری های زیر توسعه داده شده است :
1- SiC DioMOS پاناسونیک (دیود یکپارچه MOSFET) دارای ویژگی های یک دیود هدایت معکوس بدون نیاز به هیچ گونه دیود خارجی است. مساحت کل تراشه ی SiC نصف سایر SiC های معمولی است که این امر موجب کاهش میزان فوت پرینت نهایی ماژول می شود. طراحی بهبود یافته ی ساختار DioMOS ، مقاومت را به 6mΩ در 150A کاهش می دهد.
2- فناوری ماژول Sansha Electric از جوش اتصال برای تراشه های SiC خود استفاده کرده بدون اینکه از هیچ سیمی به منظور اتصال بهره گیرد. این پیکربندی ارتفاع ماژول را به یک دوم ارتفاع ماژول های معمولی کاهش داده و همچنین تحمل آن در تست چرخه انرژی سه برابر بیش تر از ماژول های معمولی می باشد.
ماژول SiC از ادغام دو ترانزیستور SiC در یک بسته تشکیل شده که مقاومت 6mΩ را با جریان 150A و ولتاژ 1200V فراهم می نماید. حجم کلی ماژول یک سوم ماژول های معمولی است که این ویژگی همراه با قابلیت اطمینان بالا موجب شده اند تا سیستم های سوئیچینگ توان بالا، بسیار کوچک و کارآمد باشند.
نتایج این تحقیقات در نمایشگاه "نشست کاربرد برق قدرت" از 15 تا 19 مارس 2015 در کارولینای شمالی ایالات متحده ارائه شده است.
